[发明专利]基于鳍式场效应晶体管的存储器中执行解码的方法和系统在审
| 申请号： | 201910232126.4 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110875067A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 安库尔·古普塔;阿布希舍克·克萨尔瓦尼;帕文德·库马尔·拉纳;玛尼诗·钱德拉·乔希;拉瓦·库马尔·普勒鲁图 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C8/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;姜长星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种基于鳍式场效应晶体管的存储器中执行解码的方法和系统。一种基于鳍式场效应晶体管(fin‑FET)的片上系统(SoC)存储器，包括：控制块、多个第一逻辑门和多个行解码器。控制块包括：时钟生成器电路，生成内部时钟信号；全局驱动电路，连接到时钟生成器电路并驱动全局时钟信号。每个行解码器包括：第二逻辑门，经由多个输入端子接收多个高阶非钟控地址信号；传输门，将全局时钟信号和多个高阶非钟控地址信号进行组合；多个第三逻辑门，接收多个低阶非钟控地址信号和多个高阶钟控地址信号，并输出组合的低阶地址和高阶地址以及全局时钟信号；多个电平移位器电路，接收输出；多个字线驱动器电路，基于所述多个电平移位器电路的输出生成多条字线。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 场效应 晶体管 存储器 执行 解码 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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