[发明专利]衬底处理装置有效
| 申请号： | 201910232707.8 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110364457B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 稻垣幸彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的衬底处理装置具备：第1液处理室，对衬底进行液处理；第2液处理室，配置于第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；第1供给通道，向第1液处理室供给气体；及第2供给通道，向第2液处理室供给气体。第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部。第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第2液处理室低的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，具备：第1液处理室，对衬底进行液处理；第2液处理室，配置于所述第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；第1供给通道，向所述第1液处理室供给气体；及第2供给通道，向所述第2液处理室供给气体；且所述第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，所述第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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