[发明专利]厚膜电阻用组成物、厚膜电阻用膏体及厚膜电阻有效

专利信息
申请号: 201910234078.2 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110322984B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 川久保胜弘 申请(专利权)人: 住友金属矿山株式会社
主分类号: H01B1/20 分类号: H01B1/20;H01C7/00;C03C12/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;钟海胜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了厚膜电阻用组成物、厚膜电阻用膏体及厚膜电阻。该厚膜电阻用组成物包括不含铅成分的氧化钌粉末以及不含铅成分的玻璃,氧化钌粉末中根据(110)晶面的峰值计算出的微晶径D1为25nm以上80nm以下,比表面积径D2为25nm以上114nm以下,且,微晶径D1(nm)与比表面积径D2(nm)之比满足以下公式(1),0.70≤D1/D2≤1.00 (1);玻璃包含SiO2、B2O3以及RO(R是从Ca、Sr以及Ba中选择的1种以上的元素),在SiO2与B2O3与RO的合计量为100质量份的情况下,SiO2的含有比率为10质量份以上50质量份以下,B2O3的含有比率为8质量份以上30质量份以下,RO的含有比率为40质量份以上65质量份以下。
搜索关键词: 电阻 组成 用膏体
【主权项】:
1.一种厚膜电阻用组成物,包括不含铅成分的氧化钌粉末以及不含铅成分的玻璃,所述氧化钌粉末中,根据采用X射线衍射法测定的(110)晶面的峰值计算出的微晶径D1为25nm以上80nm以下,根据比表面积计算出的比表面积径D2为25nm以上114nm以下,并且,所述微晶径D1(nm)与所述比表面积径D2(nm)之比满足以下公式(1),0.70≤D1/D2≤1.00  (1)所述玻璃包含SiO2、B2O3以及RO(R是从Ca、Sr以及Ba中选择的1种以上的元素),在SiO2与B2O3与RO的合计量为100质量份的情况下,SiO2的含有比率为10质量份以上50质量份以下,B2O3的含有比率为8质量份以上30质量份以下,RO的含有比率为40质量份以上65质量份以下。
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