[发明专利]一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910234418.1 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110010769B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 韩高荣;周迪逵;任召辉;张智宏;刘开辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法。该方法主要步骤为：将一定量的碘化铅和甲基碘化铵混合溶于N,N‑二甲基甲酰胺中，充分振荡均匀形成溶液，取适量溶液滴在石墨烯/铜基底上，用匀胶机进行旋涂，最后进行真空热处理得到取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜。本方法效果显著，成本低廉，工艺简单，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 生长 有机 无机 杂化钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)取碘化铅和甲基碘化铵，溶于N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中，充分振荡、超声分散至少20min，使其形成均匀溶液；2)取步骤1)得到的混合溶液滴在石墨烯/铜基底上，用匀胶机进行旋涂；3)将旋涂完毕的基底放入真空干燥箱中进行退火处理。
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