[发明专利]一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法有效
| 申请号： | 201910234625.7 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109873296B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;罗俊伟;位祺;黄永清;段晓峰;王琦;任晓敏;蔡世伟 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王庆龙;苗晓静 |
| 地址： | 100876 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括在第二衬底上依次层叠的非出光面反射镜、第二包层、量子阱层或量子点层、第一包层、电流限制层、出光面反射镜和欧姆接触层；所述非出光面反射镜包括第二衬底上依次层叠的金属反射镜层和第二多层材料膜反射镜层；所述出光面反射镜包括在所述电流限制层上层叠的第一多层材料膜反射镜层；且所述第二多层材料膜反射镜层的对数少于所述第一多层材料膜反射镜层的对数，所述第二多层材料膜反射镜层的反射率低于所述第一多层材料膜反射镜层的反射率；所述第一多层材料膜反射镜层和/或所述第二多层材料膜反射镜层为插入相位优化层的多层材料膜反射镜结构。
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