[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910234924.0 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110310988A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | J·P·约翰;J·A·柯奇斯纳 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。提供一种半导体装置包括：非本征基极区；第一电介质间隔件，其在所述非本征基极区的与发射极窗口区相邻的侧壁的至少一部分上；本征基极区；基极连接区，其耦合所述本征基极区和所述非本征基极区；集电极区，其位于所述本征基极区之下并且具有位于所述基极连接区之下的外围；以及第二电介质间隔件，其将所述基极连接区与所述集电极区的至少所述外围分开；其中所述第二电介质间隔件横向延伸超过所述第一电介质间隔件以位于所述发射极窗口区之下。还提供一种用于制造半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 电介质间隔件 非本征基极区 本征基极区 基极连接区 发射极窗口 集电极区 外围 制造 横向延伸 耦合 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其包括：非本征基极区；第一电介质间隔件，其在所述非本征基极区的与发射极窗口区相邻的侧壁的至少一部分上；本征基极区；基极连接区，其耦合所述本征基极区和所述非本征基极区；集电极区，其位于所述本征基极区之下并且具有位于所述基极连接区之下的外围；以及第二电介质间隔件，其将所述基极连接区与所述集电极区的至少所述外围分开；其中所述第二电介质间隔件横向延伸超过所述第一电介质间隔件以位于所述发射极窗口区之下。
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