[发明专利]多结型光能转换元件、具备该元件的器件及SrZn2N2的制造方法在审
| 申请号： | 201910235022.9 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110323290A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 上野航辉;菊地谅介;中村透;藏渕孝浩;金子泰;羽藤一仁;大场史康;熊谷悠 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;C25B1/00;C25B11/02;C01B21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多结型光能转换元件、具备该元件的器件及SrZn2N2的制造方法.提供一种多结型光能转换元件，该光能转换元件含有具有适于在光的入射方向上位于上游侧的光能转换层的带隙的材料.本公开的光能转换元件具备：含有SrZn2N2的第一光能转换层和含有光能转换材料的第二光能转换层.上述光能转换材料具有比SrZn2N2的带隙窄的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 光能转换元件 光能转换层 带隙 多结 光能转换材料 入射方向 制造 上游 | ||
【主权项】：
1.一种光能转换元件，具备：含有SrZn2N2的第一光能转换层；和含有光能转换材料的第二光能转换层，在此，所述光能转换材料具有比SrZn2N2的带隙窄的带隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
