[发明专利]一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910235667.2 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110034213A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 董海亮;许并社;贾伟;贾志刚;张爱琴;屈凯;李天保;梁建 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种GaN基发光二极管结构，增加了量子阱区对载流子的束缚能力，减少了载流子的泄漏，提高了GaN基发光二极管的内量子效率；一种高性能GaN基发光二极管结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、u‑GaN层、N型掺杂的GaN层、纳米微型坑层、InGaN/GaN量子阱层、P型掺杂的AlGaN电子阻挡层、P型掺杂的GaN层和电极接触层,纳米微型坑层包括自下而上交替层叠的纳米微型坑形成层和纳米微型坑层处理层，三甲基镓掺硅层上生长有多个纳米岛，纳米微型坑层处理层用于对纳米岛的表面进行光滑处理。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 处理层 纳米岛 制备 半导体材料 电极接触层 电子阻挡层 内量子效率 光滑处理 交替层叠 量子阱层 量子阱区 三甲基镓 束缚能力 生长 衬底 硅层 泄漏 | ||
【主权项】：
1.一种高性能GaN基发光二极管结构，其特征在于：包括在衬底（1）上依次生长的GaN成核层（2）、u‑GaN层（3）、N型掺杂的GaN层（4）、纳米微型坑层（5）、InGaN/GaN量子阱层（6）、P型掺杂的AlGaN电子阻挡层（7）、P型掺杂的GaN层（8）和电极接触层（9）,纳米微型坑层（5）包括自下而上交替层叠的纳米微型坑形成层（51）和纳米微型坑层处理层（52），三甲基镓掺硅层（51）上生长有多个纳米岛，纳米微型坑层处理层（52）用于对纳米岛的表面进行光滑处理。
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