[发明专利]一种纳米片场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910236310.6 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755333A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米片场效应晶体管及其制备方法，方法包括在半导体衬底上形成纳米片层及牺牲层，并在纳米片层和牺牲层中形成绝缘隔离结构，然后通过干法刻蚀去除牺牲层并且刻蚀绝缘隔离结构，形成纳米片支撑部。在纳米片和纳米片支撑部的表面形成连续的栅绝缘层并且在连接部外侧的栅绝缘层之间形成第二栅栅绝缘层。在栅绝缘层和第二栅绝缘层之间形成金属栅极。本发明中去除牺牲层，及刻蚀绝缘隔离结构形成纳米片支撑结构在同一设备中进行，由此，免除结构的运输或移动，避免纳米片因物理震动等因素而损坏。栅绝缘层进一步增加了纳米片的稳固性。另外，本发明的方法均采用干法刻蚀，避免纳米片因化学试剂造成的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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