[发明专利]一种超薄压电单晶箔的制作方法及其应用有效
| 申请号： | 201910236324.8 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755594B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 夏前亮;卢凯;黄亮;朱卫俊;王祥邦;孙建萍;陈培杕;崔坤 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/08 | 分类号： | H10N30/08;H10N30/086;G02B6/122;G02B6/13;H03H9/25 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 陈俊波 |
| 地址： | 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件技术领域，是为了解决现有技术中很难获得数微米且晶体性能良好的单晶箔的不足，而提供一种采用机械减薄加上化学腐蚀减薄的方式，尤其是利用了畴极性面的化学腐蚀速率的差异，使得压电层可以达到更薄的厚度的制作超薄压电单晶箔的方法以及其作为有源器件在光波导器件和高频声表面波器件中的应用。本发明采用机械减薄工艺将压电单晶箔减薄至几十微米，然后再利用压电单晶畴极性面的化学腐蚀速率的差异，形成化学减薄的自阻挡层，将压电单晶箔层减薄至数微米。本发明方案弥补了机械减薄只能减薄至几十微米的缺陷，同时也避免了离子切片技术对晶体性能的劣化，并且可以获得表面均匀性较好的超薄单晶箔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 压电 单晶箔 制作方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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