[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910236724.9 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755514A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 凌龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的多个鳍部，多个鳍部包括用于形成半导体器件的器件鳍部和待去除的多个伪鳍部；在鳍部和鳍部露出的衬底上保形覆盖保护层；去除多个伪鳍部上的保护层，形成剩余保护层；以剩余保护层为掩膜去除多个伪鳍部；去除器件鳍部上的保护层；去除保护层后，形成横跨器件鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的器件鳍部中形成源漏掺杂层。本发明实施例在去除多个伪鳍部上的保护层后，以剩余保护层为掩膜在一步中去除多个伪鳍部，因为同一步骤的工艺条件较为一致，与分别去除伪鳍部的方案相比，本发明实施例去除伪鳍部的高度较为一致，有利于改善器件的性能以及性能均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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