[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

摘要

一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述形成方法包括，形成覆盖台阶结构的介质层；在介质层和台阶结构中形成若干伪通孔，所述伪通孔中填充满伪通孔材料层，所述伪通孔材料层的硬度大于介质层的硬度；形成伪通孔材料层之后，在介质层和台阶结构中形成若干栅极隔槽；在所述栅极隔槽中形成导电半导体层，所述导电半导体层的表面低于介质层的表面；在所述导电半导体层上形成金属层，所述金属层填充满栅极隔槽。本发明的方法防止金属层的残留。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构的端部具有台阶结构；在所述半导体衬底上形成覆盖台阶结构的介质层；在所述介质层和台阶结构中形成若干伪通孔，所述伪通孔中填充满伪通孔材料层，所述伪通孔材料层的硬度大于介质层的硬度；形成伪通孔材料层之后，在所述介质层和台阶结构中形成若干栅极隔槽；在所述栅极隔槽中形成导电半导体层，所述导电半导体层的表面低于介质层的表面；在所述导电半导体层上形成金属层，所述金属层填充满栅极隔槽。