[发明专利]晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910237938.8 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109950180A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李丹;高英哲;张文福;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明涉及一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，其中所述晶圆刻蚀装置包括：支撑单元，用于承载晶圆；至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。本发明的晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法具有混酸系统，可以根据晶圆的剖面情况确定晶圆喷出的刻蚀液的比例，从而针对不同的晶圆的剖面情况喷出具有不同的刻蚀能力的刻蚀液，能够实现更好的刻蚀效果，能够改善晶圆剖面厚度的均匀性，提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 刻蚀装置 刻蚀液 喷嘴 刻蚀 混酸系统 支撑单元 喷出 刻蚀能力 刻蚀效果 区域设置 均匀性 喷嘴喷 良率 种晶 连通 承载 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆刻蚀装置，其特征在于，包括：支撑单元，用于承载晶圆；至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910237938.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
