[发明专利]一种功率半导体器件的可靠性测试方法及系统有效
| 申请号： | 201910238052.5 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111766489B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谢岳城;陈明翊;廖军;丁云;彭银中;邹杰;陈玉其 | 申请（专利权）人： | 中车株洲电力机车研究所有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 李哲伟;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件的可靠性测试方法及系统，其中，该方法包括：将待测试功率半导体器件所处环境的温度调整为预设测试温度、相对湿度设置调整为预设相对湿度，向待测试功率半导体器件施加第一预设偏置电压并持续第一预设时长；使待测试功率半导体器件恢复至常温静态测试环境，并在恢复完成后向待测试功率半导体器件施加第二预设偏置电压并持续第二预设时长，测量待测试功率半导体器件的漏电流，得到第一漏电流，根据第一漏电流确定待测试功率半导体器件的故障状态。本方法能够有效评估检验半导体器件长期工作在高湿度环境下的可靠性，从而为设计者选择合适的器件提供参考，使产品能够更好地满足现场运用需求，保证高可靠运用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 可靠性 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
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