[发明专利]低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法有效
| 申请号： | 201910238081.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109814283B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;唐亚华;张岱南;何雨莲;杨青慧;陈智;张怀武;沈仕远 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01L21/77 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 驱动 常开 赫兹 表面 调制器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器，其特征在于：包括高阻硅衬底(1)、埋栅电极(2)、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构(4)，埋栅电极(2)是利用扩散工艺对高阻硅衬底(1)进行选区掺杂制备而形成于高阻硅衬底(1)内部，高阻硅衬底(1)表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构(4)；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块(3)和隔离二氧化钒薄膜(31)，超表面层微结构(4)由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块(8)，每个正方形金属块中部设有一个H型槽(7)，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块(3)，H型槽中间的横向段和正方形二氧化钒薄膜块(3)接触，每个正方形金属块和埋栅电极的接触处通过隔离二氧化钒薄膜(31)隔离，每个正方形金属块的底部通过金属条(6)相连，并最终与漏电极相连接。
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