[发明专利]一种节能半导体新材料砷化镓生产废水处理工艺

摘要

本发明提供了一种节能半导体新材料砷化镓生产废水的处理工艺，属于废水处理技术领域，废液经过均质后调节pH至碱性，而后经过两次高级氧化、生化处理、混凝沉淀、软化过滤、RO膜浓缩以及MVR蒸发浓缩，形成淡水和固废，采用本发明处理废水，节约了药剂投加量和运行成本，形成的淡水中的砷含量≤0.01mg/L，氟含量≤1mg/L，总磷含量≤0.2mg/L，其它水污染物排放能够达到《地表水环境质量标准》(GB3838‑2002)III类水质标准，可回用于绿化灌溉或直接外排。

主权项

1.一种节能半导体新材料砷化镓生产废水的处理工艺，其特征在于:包含以下步骤：(1)废水预处理单元：S1.混合废水：将生产废水混合于调节池，混合后，投加碱液，使得废水pH≥10；S2.一级高级氧化：采用化学氧化技术，将混合废水排入氧化反应器，投加催化剂和氢氧化钙，催化氧化使得长链化合物断链为小分子化合物，同时，利用臭氧氧化和催化剂综合作用，除掉少量的砷，形成废液一；S3.生化反应：废液一和营养物质进入生化系统，通过微生物硝化反应降低废水的氨氮浓度和磷酸盐浓度，形成废液二，并产生污泥；S4.混凝沉淀：废液二排入混凝沉淀系统，向废液二中投加含钙化合物和含铝离子絮凝剂，混凝沉淀以除去废水中的磷和氟，形成废液三，并产生污泥；S5.二级高级氧化：废液三排入高级氧化装置，投加催化剂，进行化学氧化处理，进一步除去COD和少量的砷，形成废液四；S6.软化处理：废液四排入软化池，投加少量氢氧化钙，进一步沉降废水中的氧化硅和硅酸盐胶体，形成废液五，并产生污泥；S7.过滤：废液五经浸入式膜系统过滤去除大颗粒物，再经多介质过滤除去亚微米级悬浮物，形成废液六；(2)废水浓缩单元S8.RO膜处理：RO膜系统包括第一组RO膜和第二组RO膜，第一组RO膜包括若干级RO膜，废液六在第一组RO膜逐级纯化，第一组RO膜中每级RO膜产生的浓水返回上一级RO膜，其中第一级RO膜产生的浓水排入第二组RO膜，最后一级RO膜产生的淡水达标排放；第二组RO膜包括若干级RO膜，第一组RO膜排入的浓水在第二组RO膜内逐级浓缩，其中每级RO膜产生的淡水均返回第一组的第一级RO膜，最后一级产生的浓水排入下一步骤；S9.蒸发浓缩处理：上一步骤排入的浓水进行蒸发浓缩，产生淡水和固废，淡水返回S8步骤同废液六一并排入第一组RO膜，固废送外专业处理。