[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910238881.3 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110718548A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 崔戍侦;卢东贤;金成洙;安圭焕;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 凹部 栅电极结构 隔离结构 阻挡图案 半导体器件 源极/漏极 氮化物 多晶硅 上表面 碳化物 下表面 侧壁 衬底 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n有源鳍，所述有源鳍通过所述有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；/n隔离结构，其形成在所述凹部内，包括：/n衬垫，其在所述凹部的下部的下表面和侧壁上；以及/n阻挡图案，其在所述衬垫上，所述阻挡图案填充所述凹部的所述下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；/n栅电极结构，其位于所述有源鳍和所述隔离结构上；以及/n源极/漏极层，其位于所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
