[发明专利]半导体器件及制作方法在审
| 申请号： | 201910239199.6 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109950317A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;邹鹏辉;刘胜厚;刘成;李敏;赵杰;卢益锋;蔡仙清;杨健 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体器件及制作方法，通过在衬底上依次形成由氮化镓材料制成的沟道层及势垒层之后，基于形成于势垒层的欧姆接触区制备贯穿势垒层的通孔以暴露出部分沟道层。然后，在势垒层上沉积多层欧姆金属层，沉积的多层欧姆金属层通过通孔与沟道层接触，其中，多层欧姆金属层中与沟道层直接接触的欧姆金属层为钽金属层。通过制备贯穿势垒层的通孔，以及在势垒层的通孔位置沉积多层欧姆金属层，可以减小欧姆金属层到二维电子气的距离，使得后续退火所需温度较低，并且结合钽金属层特性使得后续形成的欧姆接触电阻减小。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆金属层 势垒层 沟道层 多层 通孔 沉积 半导体器件 钽金属层 减小 制备 退火 欧姆接触电阻 氮化镓材料 二维电子气 欧姆接触区 通孔位置 贯穿 衬底 制作 暴露 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；基于所述衬底制作形成沟道层，该沟道层由氮化镓材料制作而成；在所述沟道层的远离所述衬底的一侧制作形成势垒层，在所述势垒层上形成欧姆接触区；基于所述势垒层的欧姆接触区制备贯穿所述势垒层的通孔，暴露出部分沟道层；基于所述势垒层沉积多层欧姆金属层，所述多层欧姆金属层通过所述通孔与所述沟道层接触，其中，所述多层欧姆金属层中与所述沟道层直接接触的欧姆金属层为钽金属层。
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