[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：隔热部，其配置于保持衬底的衬底保持件的下方；反应管，其在内部构成处理室，该处理室包含供所述衬底保持件配置的处理区域和供所述隔热部配置的隔热区域；处理气体供给部，其对所述处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于所述处理室外，对所述处理室内进行加热；排气空间，其形成于所述反应管的侧方；第1排气口，其形成于划分所述排气空间与处理室的内壁，对所述处理区域的环境气体进行排气；排气端口，其连通于所述排气空间；吹扫气体供给部，其构成为对所述隔热区域供给吹扫气体，对所述隔热区域的至少一部分进行吹扫；以及第2排气口，其形成于所述内壁的与所述隔热区域在高度方向上重叠的位置，将所述隔热区域的环境气体向所述排气空间排气。