[发明专利]一种计算CMP研磨去除率的方法及装置有效
| 申请号： | 201910240996.6 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110039440B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;刘建云;曹鹤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 周春枚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种计算CMP研磨去除率的方法及装置。该方法包括：依据晶圆表面与研磨液之间的化学反应机理，建立晶圆表面CMP化学反应方程式；基于CMP化学反应方程，建立晶圆表面化学反应的动力学去除模型；依据动力学去除模型，计算晶圆表面的研磨去除率。通过本发明，解决了不能快速精确地获取化学机械研磨技术中研磨去除率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 计算 cmp 研磨 去除 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种计算CMP研磨去除率的方法，其特征在于，包括：依据晶圆表面与研磨液之间的化学反应机理，建立所述晶圆表面CMP化学反应方程式；基于所述CMP化学反应方程，建立所述晶圆表面化学反应的动力学去除模型；依据所述动力学去除模型，计算所述晶圆表面的研磨去除率。
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