[发明专利]氢阻隔剂、氢阻隔膜形成用组合物、氢阻隔膜、氢阻隔膜的制造方法、及电子元件在审
| 申请号： | 201910242189.8 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110317174A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 引田二郎;染谷和也;三隅浩一;盐田大 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | C07D233/60 | 分类号： | C07D233/60;C07D487/04;C07F9/22;G03F7/004;G03F7/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李国卿 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氢阻隔剂、氢阻隔膜形成用组合物、氢阻隔膜、氢阻隔膜的制造方法、及电子元件。本发明的课题在于提供能向各种材料赋予氢阻隔性能的氢阻隔剂、包含该氢阻隔剂的氢阻隔膜形成用组合物、包含前述的氢阻隔剂的氢阻隔膜、使用了前述的氢阻隔膜形成用组合物的氢阻隔膜的制造方法、和具备氢阻隔膜的电子元件。使用具有咪唑基的特定结构的盐化合物作为氢阻隔剂。另外，将前述的氢阻隔剂配合至基材成分中，制备氢阻隔膜形成用组合物。进而，使用前述的氢阻隔膜形成用组合物，形成氢阻隔膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氢阻隔膜 阻隔剂 形成用组合物 制造 盐化合物 阻隔性能 咪唑基 基材 制备 赋予 配合 | ||
【主权项】：
1.氢阻隔剂，其包含下式(1)表示的化合物，[化学式1]![]()
式(1)中，Xm+表示m价的抗衡阳离子，R1表示可以具有取代基的芳香族基团，R2表示可以具有取代基的亚烷基，R3表示卤素原子、羟基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硅烷醇基、硝基、亚硝基、磺酸酯基、膦基、氧膦基、膦酸酯基、或有机基团，m表示1以上的整数，n表示0以上且3以下的整数，R2可以与R1键合而形成环状结构。
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