[发明专利]铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法

摘要

本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。