[发明专利]具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910242775.2 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111755948B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/30;H01S5/042;H01S5/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明有效提高了激光器的发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 波导 结构 gepb 激光器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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