[发明专利]一种磷掺锑化铟薄膜、霍尔传感器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910244225.4 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110010758A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;尤健;冒伟伟;郑律;门楠 | 申请（专利权）人： | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体InPxSb1‑x合金薄膜及其霍尔传感器件的制备方法，其中x优化的取值范围为0.05≤x≤0.35。将所述之InPxSb1‑x薄膜作为半导体霍尔传感器件的工作层，由于半导体InPxSb1‑x薄膜的电子迁移率高于硅和砷化镓，同时可以调控其禁带宽度接近硅或者砷化镓，因此可以在优化温度系数的同时保持其高灵敏度。由半导体InPxSb1‑x合金薄膜制备的霍尔传感器件，工作温度高于锑化铟，达到硅和砷化镓的工作温度，而灵敏度、响应时间等性能优于硅和砷化镓器件。该半导体InPxSb1‑x薄膜的制备方法采用热蒸发技术及合适的退火工艺，采用合适配比的InP和InSb两种蒸发源材料加一定量的Sb以保证化学计量比。霍尔器件制备采用蒸电极、光刻、划片、引线和分装等标准器件工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔传感器件 制备 半导体 砷化镓 薄膜 合金薄膜 电子迁移率 化学计量比 砷化镓器件 蒸发源材料 标准器件 高灵敏度 合适配比 霍尔器件 退火工艺 温度系数 工作层 灵敏度 热蒸发 锑化铟 铟薄膜 电极 掺锑 分装 光刻 划片 禁带 优化 响应 调控 保证 | ||
【主权项】：
1.一种磷掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，该薄膜为InPxSb1‑x薄膜，其中x(化学计量百分比)的取值范围为0.05≤x≤0.35。
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