[发明专利]一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法

摘要

本发明公开了一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法。薄膜完全由同种单一非晶构成，并呈现多层结构。该方法是采用磁控溅射技术，在溅射镀膜过程中，采用间歇沉积工艺，通过控制单层厚度，改变自由体积含量，并引入非晶/非晶界面，使同质薄膜呈现“多层”的结构特征，增加非晶薄膜的结构异质性。本发明制备的薄膜结构致密，界面层明晰，可以很容易通过控制不同层厚度来控制薄膜结构，从而为增加非晶薄膜的结构异质性，提高非晶薄膜材料的力学性能，制备力学性能可控的纳米材料提供可能。同时，该方法操作简单，成本较低，易于在工业上实现和推广。

主权项

1.一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)将单晶硅基底分别用丙酮和酒精超声清洗10‑15min，经电吹风吹干后，放入超高真空磁控溅射设备基底台上，准备镀膜；2)将需要溅射的合金靶材安置在靶材座上，通过调整电源的功率为30W～150W，控制靶的溅射速率4‑10nm/min；采用高纯氩气作为主要离化气体，保证有效的辉光放电过程；3)非晶多层结构薄膜的制备采用间歇式沉积方式，每沉积2‑60min，暂停溅射2‑30min，使薄膜和靶材冷却；同时对基底台进行旋转，重复镀制停歇过程，控制镀制总时长，最终达到所需的薄膜厚度和层数，以及相应的调制比。