[发明专利]梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法

摘要

本发明公开了一种梯度自掺杂多元金属氧化物A_xB_yO_z半导体薄膜的喷雾热解制备方法，利用给液流速渐控制器变精确控制A、B前驱体溶液的给液速率，通过调节起始给液速率和给液流速渐变速率，在镀膜过程中调控金属离子的比例，在抑制A或B的一元金属氧化物杂相析出的前提下，实现不同厚度薄膜底部至顶部之间金属离子A/B比例梯度的可控调节，制备从薄膜底部至顶部A/B比例梯度、厚度皆可控的梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜，该技术不需要依靠高温热扩散辅助形成金属离子A/B可控比例梯度，可以有效避免高温热辅助喷雾热解法中A/B比例梯度不可控、容易出现A或B的一元金属氧化物相分离问题。

主权项

1.梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法，其特征在于，通过精确控制金属A、B前驱体溶液的起始给液流速和给液流速渐变速率，调控在基片表面100～550℃进行喷雾热解沉积镀膜过程中金属离子的比例，制备梯度自掺杂多元金属氧化物薄膜，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化；所制得的氧化物薄膜厚度为10nm～10μm可控；所述多元金属氧化物为A_xB_yO_z，其中，A为金属A，B为金属B，O为氧原子，x、y、z指金属A，金属B，氧原子O的化学剂量。