[发明专利]一种Si3

摘要

本发明公开了一种Si3N4陶瓷结构件及其制备方法；该方法首次在3D打印Si3N4陶瓷时，将Si粉作为原料并调整烧结助剂和Si粉的颗粒级配，克服了氮化硅由于吸潮性易团聚及微米级氮化硅烧结极为困难等问题，省去了传统工艺模具制造的成本和时间，限制混合原料的粉末粒径，为后续的冷等静压和反应烧结做准备，通过在原料中增设烧结助剂粉末，为后续的液相重烧结做准备；通过该方法制得的陶瓷结构件的密度为(2.14‑2.6)g/cm3，弯曲强度为(151‑300)MPa，且反应烧结和液相重烧结后，陶瓷结构件的总收缩率小于1％。

主权项

1.一种Si₃N₄陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、混合Si粉、烧结助剂粉末和粘结剂粉末，得到混合均匀的陶瓷粉末；步骤2、将步骤1制得的均匀陶瓷粉末通过SLS打印方法进行打印，制得陶瓷胚体；步骤3、将步骤2得到的陶瓷坯体冷却后套装包套或在坯体表面增设保护膜；冷等静压处理套有包套或保护膜的陶瓷坯体，冷等静压后冷却试件，得到冷等静压后的试件；步骤4、将步骤3得到的冷等静压后的试件在氮气环境下脱脂，脱脂后反应烧结，得到烧结后的Si₃N₄陶瓷试件；步骤5、将步骤4中得到的烧结后的Si₃N₄陶瓷试件在氮气环境下加压液相烧结，得到高致密度的Si₃N₄陶瓷结构件。