[发明专利]一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法。采用InP衬底和背照射结构。自衬底起依次包含InP腐蚀牺牲层，InGaAs腐蚀牺牲层，重掺杂InP腐蚀截止层，InGaAs吸收层，能带递变层，电荷层，重掺杂接触层，铟柱及读出电路；还公开了一种制造所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生与读出电路互联的雪崩焦平面模块；2)机械研磨抛光InP衬底层；3)化学腐蚀掉InP牺牲层；4)化学腐蚀掉InGaAs牺牲层。本发明的优点在于实现InGaAs雪崩焦平面对400‑1700nm可见及近红外波段的宽光谱响应，控制精度高、损伤低。

主权项

1.一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器，其特征在于：所述的焦平面探测器在InP衬底(1)上依次有InP腐蚀牺牲层(2)，InGaAs腐蚀牺牲层(3)，重掺杂InP腐蚀截止层(4)，InGaAs光吸收层(5)，能带过渡层(6)，电荷层(7)，雪崩层(8)，电极接触层(9)，铟柱(10)和Si读出电路(11)。