[发明专利]一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法有效
| 申请号： | 201910246112.8 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109877479B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱宪亮;李雪;黄松垒;李淘;邵秀梅;张永刚;龚海梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | B23K28/02 | 分类号： | B23K28/02 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法。本方法先通过回熔焊工艺使光敏芯片和读出电路初步形成互连，再采用高平整度材料作为倒焊过渡结构，通过倒焊过渡结构与初步互连的焦平面模块二次冷压焊使光敏芯片和读出电路实现完全互连。本方法将回熔焊和冷压焊工艺有机融合，充分发挥两种工艺的优点，在减小倒焊随机偏移的同时克服了由芯片平整度和铟柱质量引起的互连不上的问题，从而有效的提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 探测器 两步倒 焊工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法，其步骤为:1)样品装载，2)第一步回熔焊，3)倒焊过渡结构装载，4)第二步冷压焊，5)取样；其特征在于：具体操作步骤如下：1)样品装载：将准备好的光敏芯片(3)和读出电路(1)样品放置在对应托盘中，操作倒焊机分别将光敏芯片(3)和读出电路(1)真空吸附在对应的倒焊夹具上；2)第一步回熔焊：采用回熔焊工艺将光敏芯片(3)与读出电路(1)初步互连，回熔焊结束后，焦平面模块吸附在基座的读出电路用倒焊夹具(5)上保持不动；3)倒焊过渡结构装载：将准备好的倒焊过渡结构(4)放置在光敏芯片的托盘中，操作倒焊机将倒焊过渡结构(4)真空吸附在光敏芯片用倒焊夹具(6)上；4)第二步冷压焊：采用冷压焊工艺将倒焊过渡结构(4)与初步互连的焦平面模块再次冷压，使光敏芯片(3)和读出电路(1)实现完全互连；5)取样：从倒焊机上取下带有倒焊过渡结构(4)的焦平面模块，静置一段时间，取下倒焊过渡结构(4)。
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