[发明专利]一种铁电畴调控的MoTe2面内PN结及制备方法

摘要

本发明公开了一种铁电畴调控的MoTe₂面内PN结及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、双极性二维半导体MoTe₂，金属电极、铁电薄膜层。器件制备步骤是在衬底上利用机械剥离法制备双极性过渡金属化合物二维半导体MoTe₂，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合热蒸发、剥离工艺制备金属电极，然后在该结构上用旋涂法制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对正对二维半导体沟道的铁电薄膜写入正‑反向畴结构，利用铁电电畴调控双极型二维半导体MoTe₂两侧，分别呈现电子和空穴导电，形成面内PN结。该类PN结具有典型整流特征，且制备方便，对二维材料以及栅结构制备无特殊要求，PN结稳定性好等特点。

主权项

1.一种铁电畴调控的MoTe₂面内PN结，包括绝缘衬底(1)，二维半导体(2)、金属电极(3)、铁电功能层(4)，其特征在于：所述的PN结结构为：自下而上依次为绝缘衬底(1)，二维半导体(2)、金属电极(3)、铁电功能层(4)，其中：所述的衬底(1)为具有二氧化硅层的硅衬底；所述的二维半导体(2)为双极性过渡金属化合物MoTe₂，厚度为10‑15纳米；所述的金属电极(3)为铬金复合电极，铬厚度为10纳米，金厚度为20纳米；所述的铁电功能层(4)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜。