[发明专利]一种高解调效率的像素结构

摘要

本发明公开了一种高解调效率的像素结构，包括P型衬底，P型衬底上表面中部沉积有N型光生电荷收集区，N型光生电荷收集区上沉积有P+钳位层，所述P+钳位层的上表面与P型衬底的上表面平齐，所述P+钳位层上表面左右两侧对称设有两个侧向电荷引导栅，所述P+钳位层上表面前端对称设有两个电荷转移栅，所述P型衬底上紧靠电荷转移栅前端位置处沉积有光生电荷存储区，所述N型光生电荷收集区的形状为从前往后宽度和深度逐渐减小。本发明采用N型光生电荷收集区的宽度和深度从前往后逐渐减小的结构，可以最大幅度增大垂直方向上的电势差，增大电荷转移速度。

主权项

1.一种高解调效率的像素结构，其特征在于：包括P型衬底，P型衬底上表面中部沉积有N型光生电荷收集区，N型光生电荷收集区上沉积有P+钳位层，所述P+钳位层的上表面与P型衬底的上表面平齐，所述P+钳位层上表面左右两侧对称设有两个侧向电荷引导栅，所述P+钳位层上表面前端对称设有两个电荷转移栅，所述P型衬底上紧靠电荷转移栅前端位置处沉积有光生电荷存储区，所述N型光生电荷收集区的形状为从前往后宽度和深度逐渐减小。