[发明专利]一种高线性度的自举电压检测电路及其检测方法有效
申请号: | 201910247033.9 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN110007124B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 金学成 | 申请(专利权)人: | 成都市易冲半导体有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 夏琴 |
地址: | 610000 四川省成都市天府新区中国(四川)自由贸*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种高线性度的自举电压检测电路。包括原始采样电流产生电路、非线性因子补偿电流产生电路和采样电压产生电路;所述原始采样电流产生电路产生采样电流;通过非线性因子补偿电流产生电路产生补偿电流;将采样电流和补偿电流均输入采样电压产生电路,并使补偿电流I |
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搜索关键词: | 一种 线性 电压 检测 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高线性度的自举电压检测电路,其特征在于,包括原始采样电流产生电路、非线性因子补偿电流产生电路和采样电压产生电路;所述原始采样电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一电阻和第三电阻,所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均连接到自举电容BST端,所述第一PMOS管的漏极和栅极短接,所述第一PMOS管的漏极连接第一电阻,所述第一电阻分别连接自举电容SW端和第三电阻,所述第三电阻连接第三PMOS管的栅极,所述第二PMOS管的漏极连接到第三PMOS管的源极;所述非线性因子补偿电流产生电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二电阻、第四电阻和偏置电流I0,所述第五PMOS管和第六PMOS管的栅极连接,所述第五PMOS管和第六PMOS管的源极分别连接第四PMOS管的漏极和第二电阻,所述第五PMOS管的漏极连接偏置电流I0,所述偏置电流I0和第六PMOS管的漏极连接在采样电压产生电路两端将产生的补偿电流传输给采样电压产生电路,所述第四PMOS管的源极、第二电阻和第四电阻均连接至供电电源VDD,所述第四电阻连接第一NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的漏极连接第三PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极将采样电流传输给采样电压产生电路。
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