[发明专利]一种大尺寸单晶金刚石外延片的拼接生长方法有效
| 申请号： | 201910247096.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110079860B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 闫宁;赵延军;范波;徐帅 | 申请（专利权）人： | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/22 | 分类号： | C30B25/22;C30B29/04 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 时立新;付艳丽 |
| 地址： | 450001 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明针对现有技术中大尺寸单晶金刚石拼接制备存在的缺陷，提供一种大尺寸单晶金刚石外延片的拼接生长方法，首先通过离子注入与分离技术，化学气相沉积后得到多片晶体取向严格一致的单晶金刚石外延片，然后将外延片沿一致的晶体取向排列并键合在衬底上后，实施平整化加工与离子注入，最后通过化学气相沉积并分离后得到大尺寸的单晶金刚石外延片，本发明可获得1‑6英寸的单晶金刚石外延片，且拼接界面处外延生长的晶体质量无明显退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 金刚石 外延 拼接 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸单晶金刚石外延片的拼接生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，选取单晶金刚石作为衬底1，对衬底1沿(100)晶面方向切割并抛光后，在衬底1的主表面进行离子注入形成离子注入层，在所述离子注入层的表面化学气相沉积单晶金刚石外延层1，然后沿离子注入层对单晶金刚石衬底1与外延层1进行分离，即得单晶金刚石外延片，重复此步骤后得到多片晶体取向严格一致的单晶金刚石外延片；步骤2，将步骤1所得多片单晶金刚石外延片沿(100)晶面方向取向排列并键合在衬底3上，然后对排列而成的单晶金刚石外延片的表面进行整体研磨与抛光处理；步骤3，以步骤2排列所得单晶金刚石外延片为衬底2，在衬底2的主表面进行离子注入形成离子注入层，在所述离子注入层的表面化学气相沉积单晶金刚石外延层2，然后沿离子注入层对单晶金刚石衬底2与外延层2进行分离，至此得到拼接生长的大尺寸单晶金刚石外延片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州磨料磨具磨削研究所有限公司，未经郑州磨料磨具磨削研究所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910247096.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种SiC基GaN外延片的剥离方法
- 下一篇：磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用
