[发明专利]一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910247920.6 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109975369A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 于灵敏;马海宁;祁立军;马帅;李源;张波;曹磊;范新会 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及新材料技术领域,具体涉及一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料及其制备方法。其解决了目前In2O3作为气敏材料因热诱导生长导致的颗粒聚集和晶粒长大,以及传统的敏感膜转移工艺带来的薄膜脱落,导致气敏特性衰退的问题。本发明采用的制备方法为(1)Ag叉指电极片的清洗;(2)生长种子层;(3)生长In2O3
搜索关键词: 气敏材料 制备 三维多孔 生长 面包 新材料技术领域 叉指电极 晶粒长大 颗粒聚集 气敏特性 传统的 敏感膜 热诱导 种子层 薄膜 清洗 衰退
【主权项】:
1.一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料的制备方法,其特征在于:所述的制备方法的步骤为:1)Ag叉指电极片的清洗:将电极片分别置于丙酮和酒精中超声处理15min,再通过去离子水超声清洗30min;2)生长种子层:称取0.1‑0.3g In(NO3)3加入到5ml的无水乙醇中,超声搅拌30min,得到种子层溶液,将种子层溶液利用喷枪均匀的喷涂到清洗过的电极片上60℃烘干,最后将电极片置于马弗炉中500‑700℃煅烧90min;3)生长In2O3: 称取0.5‑0.8g In(NO3)3和1.0‑3.0g的NH4F和0.2g尿素置于50ml去离子水中,将混合溶液分别进行磁子搅拌和超声处理,时间均为15min,得到透明的生长液,将生长液倒入不锈钢反应釜中,然后将长有种子层的电极片贴着反应釜内衬的内壁垂直放置,再将反应釜置于干燥箱中80‑140℃保温5h,待反应结束后取出电极片,用去离子水将电极片表面冲洗干净,50‑80℃烘干,然后将电极片置于马弗炉中500‑700℃保温90min,得到三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料。
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