[发明专利]一种硅基光电极、及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201910247967.2 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109943857A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵唱;郭北斗;宫建茹 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/06;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/02;C23C14/24;C23C14/16;C23C14/08;C22C19/03;C23C14/35;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基光电极、及其制备方法和用途。所述硅基光电极包括Si层和依次设置于所述Si层表面的钝化层、缓冲层和催化保护层。本发明所述硅基光电极中钝化层、缓冲层和催化保护层皆为致密的薄膜材料，其中，催化保护层具有良好的电催化活性，能有效降低反应过电势的同时，在溶液中还能够保持良好的稳定性；Si层表面的钝化层可以降低Si的表面态，减少费米能级钉扎，抑制电子和空穴在硅表面复合；缓冲层可以保护钝化层在制备催化保护层过程中不被破坏，并且从热力学和动力学两方面提高电极的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 钝化层 光电极 硅基 催化 缓冲层 制备 空穴 致密 电催化活性 薄膜材料 费米能级 光电性能 依次设置 表面态 动力学 硅表面 过电势 热力学 电极 钉扎 复合 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光电极，其特征在于，所述硅基光电极包括Si层和依次设置于所述Si层表面的钝化层、缓冲层和催化保护层。
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