[发明专利]单晶PERC电池背钝化结构在审
| 申请号： | 201910248527.9 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109980046A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;鲁桂林;张波;申开愉;吕涛;梁玲 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶PERC电池背钝领域。单晶PERC电池背钝化结构，单晶PERC电池生产，按照清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、背面钝化、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、印刷，背面钝化过程为，首先在硅片背面通过PECVD的方式在温度450℃下沉积1‑3nm厚的氮氧化硅层，然后在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积6‑8nm厚的氧化铝层，最后再在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积100‑120nm的氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 氮氧化硅层 沉积 背钝化结构 背面钝化 电池 镀膜 氮化硅层 电池生产 硅片背面 激光开槽 清洗制绒 湿法刻蚀 氧化铝层 背面 扩散 印刷 | ||
【主权项】：
1.单晶PERC电池背钝化结构，单晶PERC电池生产，按照清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、背面钝化、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、印刷，其特征在于：背面钝化过程为，首先在硅片背面通过PECVD的方式在温度450℃下沉积1‑3nm厚的氮氧化硅层，然后在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积6‑8nm厚的氧化铝层，最后再在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积100‑120nm的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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