[发明专利]3D NAND闪存及制备方法

摘要

本发明提供一种3D NAND闪存及制备方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有叠层结构，包括交替叠置的牺牲层及栅极层；于叠层结构内形成沟道通孔；沟道通孔包括若干个位于相邻栅极层之间及栅极层与半导体衬底之间的凹槽区域；于沟道通孔的侧壁表面形成功能侧壁，并于功能侧壁的表面及沟道通孔的底部形成沟道层；于叠层结构内形成栅极间隙；基于栅极间隙去除牺牲层；于相邻栅极层之间及栅极层与半导体衬底之间形成栅间介质层，栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层。本发明可以有效减小相邻栅极层之间的漏电，提高相邻栅极层之间的栅间介质层的抗击穿能力，降低相邻栅极层之间的耦合效应。