[发明专利]一种提高LDO瞬态响应的电路

摘要

本发明公开一种提高LDO瞬态响应的电路。本发明包括低压差线性稳压器U1、第一反馈电阻R1、第一上拉电阻R2、第二反馈电阻R3、第二限流电阻R4、第一限流电阻R5、P沟道MOS管Q1、NPN三极管Q2、第一前馈电容C1、第一储能电解电容C2、第二滤波钽电容C3、第一滤。本发明在现有的成熟、低成本的GPRS供电电路的基础上，通过提高LDO瞬态响应，进一步的榨取电池的使用时间，降低社会成本，提高人们的环保意识，有利于倡导低碳生活方式，同时，还可以为节约能源资源，保护生态环境，建设资源节约型、环境友好型社会多做贡献，推动经济社会走全面、协调、可持续发展的道路，意义十分重大。

主权项

1.一种提高LDO瞬态响应的电路，其特征在于：该电路包括低压差线性稳压器U1、第一反馈电阻R1、第一上拉电阻R2、第二反馈电阻R3、第二限流电阻R4、第一限流电阻R5、P沟道MOS管Q1、NPN三极管Q2、第一前馈电容C1、第一储能电解电容C2、第二滤波钽电容C3、第一滤波电容C4、第三滤波电容C5、第四滤波电容C6、第五滤波电容C7；单片机控制管脚GPRS_POWER_JD与第一限流电阻R5的一端相连，第一限流电阻R5的另一端与NPN三极管Q2的基极相连，NPN三极管Q2的发射级与GND相连，NPN三极管Q2的集电极与第二限流电阻R4的一端相连，第二限流电阻R4的另一端与第一上拉电阻R2的一端、P沟道MOS管Q1的栅极相连，第一上拉电阻R2的另一端与P沟道MOS管Q1的源极、碱电池的正极VIN相连，P沟道MOS管Q1的漏极与第一储能电解电容C2的正极、第一滤波电容C4的一端、低压差线性稳压器LDOU1的第1引脚和第2引脚相连，第一储能电解电容C2的负极与GND相连，第一滤波电容C4的另一端与GND相连，低压差线性稳压器LDOU1的第3引脚和第6引脚与GND相连，低压差线性稳压器LDOU1的第4引脚和第一反馈电阻R1的一端、第一前馈电容C1的一端、第二滤波钽电容C3的正极、第三滤波电容C5的一端、第四滤波电容C6的一端、第五滤波电容C7的一端、GPRS模块的电源脚3.8V相接，低压差线性稳压器LDOU1的第5引脚与第一反馈电阻R1的另一端、第二反馈电阻R3的一端、第一前馈电容C1的另一端相连，第二反馈电阻R3的另一端与GND相连，第二滤波钽电容C3的负极、第三滤波电容C5的另一端、第四滤波电容C6的另一端、第五滤波电容C7的另一端与GND相连；低压差线性稳压器LDOU1型号为SPX29302T5；当单片机GPRS_POWER_JD管脚拉低电平，NPN三极管Q2不导通，P沟道MOS管Q1的栅极通过第一上拉电阻R2与VIN相连来保持高电平；P沟道MOS管Q1不导通，电路不消耗任何电流；增加NPN三极管Q2控制P沟道MOS管Q1，防止VIN将会高达6V的电压损坏单片机。