[发明专利]具有栅极隔离层的半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区从衬底突出并且在第一方向上延伸；/n第一栅极，其位于所述第一沟道区上；/n第二栅极，其位于所述第二沟道区上，其中，所述第一栅极和所述第二栅极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；/n第一栅极绝缘层，其位于所述第一栅极和所述第一沟道区之间；/n第二栅极绝缘层，其位于所述第二栅极和所述第二沟道区之间；以及/n栅极隔离层，其位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，/n其中，所述栅极隔离层与所述第一栅极和所述第二栅极接触，并且包括在所述栅极隔离层中的间隙，/n其中，所述栅极隔离层在所述第二方向上的第一宽度大于所述栅极隔离层在所述第二方向上的第二宽度，/n其中，所述栅极隔离层在所述第二方向上的第三宽度小于所述栅极隔离层的所述第一宽度，并且/n其中，在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上，所述第一宽度在所述第二宽度和所述第三宽度之间。/n