[发明专利]二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法有效
| 申请号： | 201910249434.8 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN111769201B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈奕彤;赖映佑;陈俊安;张锌权;李奕贤 | 申请（专利权）人： | 李奕贤 |
| 主分类号： | H10K50/80 | 分类号： | H10K50/80;H10K71/00;H01L33/56;H01L23/29;H01L21/48;H01L31/0203;H01L31/048 |
| 代理公司： | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人： | 孙艳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市光复*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维半导体组件，包括：二维半导体材料层、超强酸作用层与超强酸溶液；其中，二维半导体材料层是由具半导体特性的过渡金属硫化物材料制成，且超强酸作用层是形成于二维半导体材料层之上，本发明的制造方法以氧化物材料制成超强酸作用层，并接着超强酸溶液应用于超强酸作用层，令超强酸溶液可以通过扩散作用进入超强酸作用层之中，并且，实验结果证实，利用扩散作用令超强酸溶液被包含于所述超强酸作用层之中，这样不仅可以使用超强酸溶液对二维半导体材料层执行化学处理，同时超强酸溶液于二维半导体材料层之上所实现的发光效率增强效果，其亦不会因为二维半导体材料层于进行后续制程步骤时接触水与/或有机溶剂而消失。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体 组件 光电 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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