[发明专利]一种DLC/Me-C复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910249651.7 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109898064B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 魏秋平;马莉;周科朝;余志明 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/48
代理公司: 43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 代理人: 颜勇
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种DLC/Me‑C复合薄膜及其制备方法,所述复合薄膜是在金属或合金基体表面采用磁控溅射技术依次制备Me‑C薄膜、DLC薄膜。其制备方法是是将金属或合金基体置于磁控溅射设备中,在金属或合金基体表面原位制备Me‑C薄膜和DLC薄膜。本发明采用射频偏压辅助磁控溅射沉积DLC,高效率地制备出膜基结合强度高,力学性能、耐摩擦性能和耐腐蚀性能均优异的类金刚石薄膜。本发明选用Me‑C过渡层作为缓冲层,解决了DLC膜内应力过高的问题;同时在制备Me‑C缓冲层之前,使用等离子体轰击基底,制备非晶改性层,改善基体表面状态,减小基体和第二相之间腐蚀电位,结果证实非晶层/Me‑C/DLC膜具有优异的力学性能和耐腐蚀性能。
搜索关键词: 制备 复合薄膜 合金基体 耐腐蚀性能 力学性能 缓冲层 金属 薄膜 磁控溅射沉积 磁控溅射技术 磁控溅射设备 等离子体轰击 基体表面状态 类金刚石薄膜 耐摩擦性能 表面原位 腐蚀电位 射频偏压 第二相 非晶层 改性层 高效率 过渡层 出膜 非晶 基底 减小
【主权项】:
1.一种DLC/Me-C复合薄膜,其特征在于,在金属或合金基体表面制备非晶态金属或合金改性层后,采磁控溅射技术依次制备Me-C薄膜、DLC薄膜。/n
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