[发明专利]一种DLC/Me-C复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910249651.7 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109898064B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 魏秋平;马莉;周科朝;余志明 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/48 |
| 代理公司： | 43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种DLC/Me‑C复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜是在金属或合金基体表面采用磁控溅射技术依次制备Me‑C薄膜、DLC薄膜。其制备方法是是将金属或合金基体置于磁控溅射设备中，在金属或合金基体表面原位制备Me‑C薄膜和DLC薄膜。本发明采用射频偏压辅助磁控溅射沉积DLC，高效率地制备出膜基结合强度高，力学性能、耐摩擦性能和耐腐蚀性能均优异的类金刚石薄膜。本发明选用Me‑C过渡层作为缓冲层，解决了DLC膜内应力过高的问题；同时在制备Me‑C缓冲层之前，使用等离子体轰击基底，制备非晶改性层，改善基体表面状态，减小基体和第二相之间腐蚀电位，结果证实非晶层/Me‑C/DLC膜具有优异的力学性能和耐腐蚀性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 复合薄膜 合金基体 耐腐蚀性能 力学性能 缓冲层 金属 薄膜 磁控溅射沉积 磁控溅射技术 磁控溅射设备 等离子体轰击 基体表面状态 类金刚石薄膜 耐摩擦性能 表面原位 腐蚀电位 射频偏压 第二相 非晶层 改性层 高效率 过渡层 出膜 非晶 基底 减小 | ||
【主权项】：
1.一种DLC/Me-C复合薄膜，其特征在于，在金属或合金基体表面制备非晶态金属或合金改性层后，采磁控溅射技术依次制备Me-C薄膜、DLC薄膜。/n
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