[发明专利]晶片键合结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910250069.2 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994444B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 王月玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了晶片键合结构及其制作方法。该晶片键合结构的第一键合层和第二键合层彼此接触以提供第一晶片和第二晶片彼此键合，第一键合层和第二键合层的接触面为键合面，第一晶片的第一导电通道和第二晶片的金属图案彼此连接以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的电连接，第一晶片的第一伪通道和第二晶片的金属图案彼此接触以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的机械连接，所述第一导电通道的横向尺寸大于所述第一伪通道的横向尺寸。该晶片键合结构在第一晶片形成的伪通道可以改善第一晶片和第二晶片之间键合面的图案分布，从而提高键合强度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片键合结构，包括：第一晶片，包括第一半导体衬底、第一键合层、穿透所述第一键合层的第一导电通道、以及从所述第一键合层的表面延伸到所述第一键合层中的第一伪通道，第二晶片，包括第二半导体衬底、第二键合层、以及在所述第二键合层的表面暴露的金属图案，其中，所述第一键合层和所述第二键合层彼此接触以使所述第一晶片和所述第二晶片彼此键合，所述第一键合层和所述第二键合层的接触面为键合面，所述第一导电通道的横向尺寸大于所述第一伪通道的横向尺寸。
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