[发明专利]基底处理方法

摘要

一种能够均匀地维持对基底上形成的薄膜下方的图案结构的损害的基底处理方法包含：将源材料供应到其上形成有与反应物发生反应的图案结构的基底；以及在等离子体气氛中通过供应单元的至少一个中心进气口供应反应物，其中，在反应物的供应期间，与反应物不同的阻挡材料通过与供应单元的中心进气口隔开的额外进气口供应，且基底的边缘处的阻挡材料的流量增加，从而增加基底的中心附近的反应物的自由基密度。

主权项

1.一种基底处理方法，包括：将第一气体供应到其上形成有图案结构的基底；对所述第一气体进行吹扫；供应第二气体及第三气体以在等离子体气氛中在所述图案结构上形成薄膜，其中所述第二气体与所述第一气体发生反应；以及对所述第二气体进行吹扫，其中，在所述薄膜的形成期间，所述第二气体通过气体供应单元的至少一个中心进气口供应，且所述第三气体通过与所述气体供应单元的所述中心进气口隔开的额外进气口供应，以及所述第三气体是与所述第一气体及所述第二气体不同的气体，且其电离能比惰性气体的电离能大。