[发明专利]一种提高单晶硅片洁净度的清洗工艺

摘要

本发明涉及硅片清洗领域。一种提高单晶硅片洁净度的清洗工艺，第一清洗槽中装有5000±50毫升的BST、500±20克的氢氧化钠、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；第二清洗槽中装有5000±50毫升的BST、500±20克的氢氧化钠、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；第三清洗槽中装有5000±50毫升的BST、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；第四清洗槽中装有9500±50克的氢氧化钠、72±20克的双氧水、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒。

主权项

1.一种提高单晶硅片洁净度的清洗工艺，其特征在于：按照如下步骤进行步骤一、在第一清洗槽中进行清洗，第一清洗槽中装有5000±50毫升的BST、500±20克的氢氧化钠、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；步骤二、在第二清洗槽中进行清洗，第二清洗槽中装有5000±50毫升的BST、500±20克的氢氧化钠、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；步骤三、在第三清洗槽中进行清洗，第三清洗槽中装有5000±50毫升的BST、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；步骤四、在第四清洗槽中进行清洗，第四清洗槽中装有9500±50克的氢氧化钠、72±20克的双氧水、140升水，在45±5摄氏度温度下清洗180秒；步骤五、在第五清洗槽中进行清洗，第五清洗槽中装有2500±50柠檬酸、140升水，在30±5摄氏度温度下清洗180秒；步骤六、在第六清洗槽中进行清洗，第六清洗槽中装有140升的水，在50±20摄氏度温度下清洗180秒；步骤七、在第七清洗槽中进行清洗，第七清洗槽中装有140升的水，在50±20摄氏度温度下清洗180秒；步骤八、在第八清洗槽中进行清洗，第八清洗槽中装有140升的水，在50±20摄氏度温度下清洗180秒；步骤九、在第九清洗槽中进行清洗，第九清洗槽中装有140升的水，在85±5摄氏度温度下清洗180秒；步骤十、在90±5摄氏度温度下烘干。