[发明专利]一种基于超表面的非制冷红外成像传感器有效
| 申请号： | 201910250576.6 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110160656B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王宏臣;王鹏;陈文礼 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02;G01J5/00 |
| 代理公司： | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人： | 刘志毅 |
| 地址： | 264006 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 制冷 红外 成像 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于超表面的非制冷红外成像传感器,其特征在于，包括双层非制冷红外探测器，所述双层非制冷红外探测器包括包含读出电路的半导体衬底和带微桥支撑结构的探测器本体，所述探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，所述第二层悬空结构设置在所述第一层悬空结构上，所述第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，所述第二层悬空结构包括超材料支撑层和设置在所述超材料支撑层上的超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构；所述超材料结构包括由扁带形成矩形轮廓，所述矩形轮廓的每条边的中心设有向内的U字型弯折，所述扁带的材料为NiCr，厚度为20nm，宽度为0.5μm‑5μm。
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