[发明专利]一种滤波电路及其形成方法有效
申请号: | 201910250789.9 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109786903B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 万晶;梁晓新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P11/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例公开了一种滤波电路及其形成方法,通过在下层金属层形成金属槽线,从而使滤波电路具有优良的带外抑制度,在金属槽线上绑钉第一金属绑线可以调整金属槽线的参数,从而可以提高滤波电路的带外抑制度;通过缺陷耦合片可以使输入输出端口与谐振单元有较好的耦合度,在缺陷耦合片上绑钉第二金属绑线可以修正缺陷耦合片的加工误差,从而提高输入输出端口与谐振单元的耦合度,降低滤波电路的插入损耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 滤波 电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种滤波电路,其特征在于,包括叠层结构,所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层;所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元;所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列;所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列;所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口,所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合,所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合;所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线,所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处;所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910250789.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种陶瓷导波滤波器
- 下一篇:宽阻带带线低通滤波器及介质波导滤波器