[发明专利]一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法有效

专利信息
申请号: 201910250908.0 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN110133029B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 赵利忠;郝志鹏;赵晓宇;李领伟 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01N23/2251 分类号: G01N23/2251;G01N23/20091;G01R33/14;H01F41/02;C23C14/58;C23C14/35
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本领域涉及稀土永磁材料领域,为解决现有方法在不同体系的扩散介质中寻找最佳的成分点时过程极为繁琐,效率低下成本高的问题,本发明提供了一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法。所述方法包括以下步骤:1)前处理:对磁体进行处理得到待扩散磁体;2)磁控溅射:对待扩散磁体进行表面处理并进行磁控溅射,在磁体表面制得扩散介质薄膜,得到镀膜磁体;3)成分检测:通过能谱分析扩散介质薄膜各区域的元素分布规律以及原子比;4)热处理:对镀膜磁体进行热处理,冷却后得到待测试样;5)磁性能检测:测试待测试样表面不同部位的磁性能;6)分析:结合成分检测结果和磁性能检测结果并得出最佳成分配比。具有高效的优点。
搜索关键词: 一种 钕铁硼 磁体 中高 通量 设计 扩散 成分 方法
【主权项】:
1.一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)前处理:对磁体进行切割处理,调整其形状和尺寸,得到待扩散磁体;2)磁控溅射:对待扩散磁体进行表面处理后,将待扩散磁体作为磁控溅射的衬底,置于高真空环境中进行磁控溅射,将扩散介质溅射到磁体的表面,在磁体表面制得扩散介质薄膜,得到镀膜磁体;3)成分检测:通过扫描电镜能谱分析镀膜磁体上扩散介质薄膜各区域的元素分布规律以及各元素之间的原子比;4)热处理:将镀膜磁体置于真空热处理炉中,对真空热处理炉进行抽真空和氩气氩洗并重复该步骤多次,最后保持高真空状态,对镀膜磁体进行加热扩散和降温退火,冷却后得到待测试样;5)磁性能检测:采用带强磁场的磁光克尔效应测试待测试样表面不同部位的磁性能;6)分析:结合成分检测结果和磁性能检测结果,磁性能最佳的区域所对应的能谱结果即是扩散介质的最佳成分配比。
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