[发明专利]芯片封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910251222.3 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109994437B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 周一安;席克瑞;王林志;秦锋;李小和 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/482;H01L23/29;H01L23/367;H01L23/38;H01L25/16
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种芯片封装结构及其制作方法,包括:堆叠设置的芯片封装层和温控层;芯片封装层包括:芯片绝缘部、包裹于芯片绝缘部中的芯片;芯片绝缘部包括至少一个子绝缘层;温控层包括:温控绝缘部、包裹于温控绝缘部中的温控单元;温控绝缘部包括至少一个子绝缘层;在垂直于芯片绝缘部所在平面的方向上,芯片和温控单元至少部分交叠;温控单元用于吸收外部热量,或者向外部释放热量。相对于现有技术,可以将温控系统集成在芯片封装结构中,提升芯片性能,简化后期芯片组装工艺。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:堆叠设置的芯片封装层和温控层;所述芯片封装层包括:芯片绝缘部、包裹于所述芯片绝缘部中的芯片;所述芯片绝缘部包括至少一个子绝缘层;所述温控层包括:温控绝缘部、包裹于所述温控绝缘部中的温控单元;所述温控绝缘部包括至少一个子绝缘层;在垂直于所述芯片绝缘部所在平面的方向上,所述芯片和所述温控单元至少部分交叠;所述温控单元用于吸收外部热量,或者向外部释放热量。
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