[发明专利]一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法

摘要

本发明提供了一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，包括如下步骤：步骤1、使用CVD工艺在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄膜；步骤4、对氮化硅薄膜层进行紫外光刻，将所设计的薄膜图形转移到氮化硅层上；步骤5、在曝光显影过后对氮化硅薄膜层进行RIE即反应离子刻蚀，刻出氮化硅薄膜结构的形状，在氮化硅薄膜结构边缘刻蚀若干小孔，用于释放H₂；步骤6、刻出薄膜结构后对氮化硅薄膜进行快速退火，得到表面无水泡的低应力氮化硅薄膜。本发明方法既能够精确控制氮化硅薄膜应力，又能够保证薄膜的完整性。

主权项

1.一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、使用化学气相沉积技术(CVD)在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄膜；步骤4、对氮化硅薄膜层进行紫外光刻，将所设计的薄膜图形转移到氮化硅层上；步骤5、在曝光显影过后对氮化硅薄膜层进行RIE即反应离子刻蚀，刻出氮化硅薄膜结构的形状，在氮化硅薄膜结构边缘刻蚀若干小孔，用于释放H₂；步骤6、刻出薄膜结构后对氮化硅薄膜进行快速退火，得到表面无水泡的低应力氮化硅薄膜。