[发明专利]一种MWT激光打孔台面及打孔工艺在审
| 申请号： | 201910252756.8 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110047795A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 黄智;周平平;徐建华;沈洪飞;路忠林;吴仕梁;李质磊;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 无锡日托光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18;H01L31/0224;B23K26/382 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MWT激光打孔台面及打孔工艺，所述打孔台面包括台面本体，所述台面本体上分为实心区及镂空区，所述镂空区分布在激光孔的打孔位置处，所述实心区分布在所述镂空区域内的非打孔处，且在所述实心区上分布有真空气孔。在打孔工艺方面，先对台面进行改造，再实施打孔过程，大大降低了硅片与台面接触面积，有效降低粉尘对硅片的影响，从而能有效降低制程碎片率及隐裂。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 打孔工艺 实心区 激光打孔 台面本体 镂空区 硅片 有效降低制程 打孔过程 打孔台面 打孔位置 真空气孔 镂空区域 激光孔 碎片率 打孔 隐裂 粉尘 改造 | ||
【主权项】：
1.一种MWT激光打孔台面，其特征在于，所述打孔台面包括台面本体，所述台面本体上分为实心区及镂空区，所述镂空区分布在激光孔的打孔位置处，所述实心区分布在所述镂空区域内的非打孔处，且在所述实心区上分布有真空气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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